70多年来，电子工业急速发展，光电产品对衬底材料需求量的日益增加，衬底时需要很好的平整度，化学机械抛光技术（CMP）是机械磨削和化学腐蚀的组合技术，用于在各种材料上实现原子级超光滑表面，也是公认唯一能实现全局平面化的技术。
该工艺已被广泛运用于硅片的精抛和粗抛，还有半导体器件、多晶化模组、平面显示器、光导摄像管、微电机系统等加工过程。特别是在大规模集成电路中，用于多层化薄膜的平坦化加工等。
抛光液在CMP中扮演重要的角色，而最广泛使用的就是硅溶胶了，亚微米或纳米级的SiO2磨粒和化学溶液组成的抛光液在工件与抛光垫之间流动，并产生化学反应，工件表面形成的化学反应物由SiO2磨粒的机械作用去除，即在化学成膜和机械去膜的交替过程中实现超精密表面加工。
